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Modèles électriques pour la conception des circuits intégrés silicium

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Author :
Release : 2004-10-01
Genre :
Kind : eBook
Book Rating : 541/5 ( reviews)

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Book Synopsis Modèles électriques pour la conception des circuits intégrés silicium by : Jacques Gautier

Download or read book Modèles électriques pour la conception des circuits intégrés silicium written by Jacques Gautier. This book was released on 2004-10-01. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Caractérisation et modélisation électrique des phénomènes de couplage par les substrats de silicium dans les empilements 3D de circuits intègrés

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Author :
Release : 2012
Genre :
Kind : eBook
Book Rating : /5 ( reviews)

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Book Synopsis Caractérisation et modélisation électrique des phénomènes de couplage par les substrats de silicium dans les empilements 3D de circuits intègrés by : Elie Eid

Download or read book Caractérisation et modélisation électrique des phénomènes de couplage par les substrats de silicium dans les empilements 3D de circuits intègrés written by Elie Eid. This book was released on 2012. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin d'améliorer les performances électriques dans les circuits intégrés en 3D, une large modélisation électromagnétique et une caractérisation haute fréquence sont requises. Cela a pour but de quantifier et prédire les phénomènes de couplage par le substrat qui peuvent survenir dans ces circuits intégrés. Ces couplages sont principalement dus aux nombreuses interconnexions verticales par unité de volume qui traversent le silicium et que l'on nomme « Through Silicon Vias » (TSV).L'objectif de cette thèse est de proposer des règles d'optimisation des performances, à savoir la minimisation des effets de couplage par les substrats en RF. Pour cela, différentes configurations de structures de test utilisées pour analyser le couplage sont caractérisées.Les caractérisations sont effectuées sur un très large spectre de fréquence. Les paramètres d'analyse sont les épaisseurs du substrat, les architectures des vias traversant (diamètres, densités, types de barrières), ainsi que la nature des matériaux utilisés. Des modèles électriques permettant de prédire les phénomènes de couplage sont extraits. Différents outils pour l'analyse de ces effets, sont développés dans notre laboratoire. Parallèlement un important travail de modélisation 3D est mené de façon à confronter mesure et simulation et valider nos résultats. Des stratégies d'optimisation pour réduire ces phénomènes dans les circuits 3D ont été proposées, ce qui a permis de fournir de riches informations aux designers.

Analyse Et Caractérisation Des Couplages Substrat Et de la Connectique Dans Les Circuits 3D

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Author :
Release : 2016
Genre :
Kind : eBook
Book Rating : 298/5 ( reviews)

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Book Synopsis Analyse Et Caractérisation Des Couplages Substrat Et de la Connectique Dans Les Circuits 3D by : Fengyuan Sun

Download or read book Analyse Et Caractérisation Des Couplages Substrat Et de la Connectique Dans Les Circuits 3D written by Fengyuan Sun. This book was released on 2016. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The proposal of doubling the number of transistors on an IC chip (with minimum costs and subtle innovations) every 24 months by Gordon Moore in 1965 (the so-called called Moore's law) has been the most powerful driver for the emphasis of the microelectronics industry in the past 50 years. This law enhances lithography scaling and integration, in 2D, of all functions on a single chip, increasingly through system-on-chip (SOC). On the other hand, the integration of all these functions can be achieved through 3D integrations . Generally speaking, 3D integration consists of 3D IC packaging, 3D IC integration, and 3D Si integration. They are different and mostly the TSV (through-silicon via) separates 3D IC packaging from 3D IC/Si integrations since the latter two uses TSVs, but 3D IC packaging does not. TSV (with a new concept that every chip or interposer could have two surfaces with circuits) is the heart of 3D IC/Si integrations. Continued technology scaling together with the integration of disparate technologies in a single chip means that device performance continues to outstrip interconnect and packaging capabilities, and hence there exist many difficult engineering challenges, most notably in power management, noise isolation, and intra and inter-chip communication. 3D Si integration is the right way to go and compete with Moore's law (more than Moore versus more Moore). However, it is still a long way to go. In this book, Fengyuan SUN proposes new substrate network extraction techniques. Using this latter, the substrate coupling and loss in IC's can be analyzed. He implements some Green/TLM (Transmission Line Matrix) algorithms in MATLAB. It permits to extract impedances between any number of embedded contacts or/and TSVS. He does investigate models of high aspect ratio TSV, on both analytical and numerical methods electromagnetic simulations. This model enables to extract substrate and TSV impedance, S parameters and parasitic elements, considering the variable resistivity of the substrate. It is full compatible with SPICE-like solvers and should allow an investigation in depth of TSV impact on circuit performance.

JP III

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Author :
Release : 1994
Genre : Physics
Kind : eBook
Book Rating : /5 ( reviews)

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Book Synopsis JP III by :

Download or read book JP III written by . This book was released on 1994. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Mesures électriques en régime impulsionnel de circuits intégrés sur tranche de silicium

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Author :
Release : 1973
Genre :
Kind : eBook
Book Rating : /5 ( reviews)

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Book Synopsis Mesures électriques en régime impulsionnel de circuits intégrés sur tranche de silicium by : Claude DEMARIGNY

Download or read book Mesures électriques en régime impulsionnel de circuits intégrés sur tranche de silicium written by Claude DEMARIGNY. This book was released on 1973. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

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